FGA50S110P Datenblatt
FGA50S110P Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 431,16 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FGA50S110P
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1100V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 195nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
