FDT461N Datenblatt
FDT461N Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDT461N
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 540mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 540mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 74pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.13W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
