Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDS86240 Datenblatt

FDS86240 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 422,14 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDS86240
FDS86240 Datenblatt Seite 1
FDS86240 Datenblatt Seite 2
FDS86240 Datenblatt Seite 3
FDS86240 Datenblatt Seite 4
FDS86240 Datenblatt Seite 5
FDS86240 Datenblatt Seite 6
FDS86240 Datenblatt Seite 7
FDS86240 Datenblatt Seite 8
FDS86240

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.8mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2570pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)