FDMS86180 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FDMS86180
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 151A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 6V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6215pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 138W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Power56 Paket / Fall 8-PowerTDFN |