FDMC86184 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FDMC86184
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 6V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2090pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 54W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |