FDMA008P20LZ Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FDMA008P20LZ
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4383pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-PQFN (2x2) Paket / Fall 6-PowerWDFN |