Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDD8444L-F085 Datenblatt

FDD8444L-F085 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 816,57 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDD8444L-F085
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 1
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 2
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 3
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 4
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 5
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 6
FDD8444L-F085 Datenblatt Seite 7
FDD8444L-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

153W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63