FDC658P Datenblatt
FDC658P Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDC658P
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
