FCP650N80Z Datenblatt
FCP650N80Z Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 667,43 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FCP650N80Z
|
Hersteller ON Semiconductor Serie SuperFET® II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1565pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 162W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
