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FCMT125N65S3 Datenblatt

FCMT125N65S3 Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FCMT125N65S3
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FCMT125N65S3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 590µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

181W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-PQFN (8x8)

Paket / Fall

4-PowerTSFN