EPC2105ENG Datenblatt
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A, 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
