EPC2018 Datenblatt
EPC2018 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 1.141,07 KB
EPC
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
EPC2018
|
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
