EPC2012 Datenblatt
EPC2012 Datenblatt
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EPC
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EPC2012
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 145pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
