EMD29T2R Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
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EMD29T2R
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 12V Widerstand - Basis (R1) 1kOhms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz Leistung - max 120mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |