EC4H09C-TL-H Datenblatt
EC4H09C-TL-H Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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EC4H09C-TL-H
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 26GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 2GHz Gewinn 15dB Leistung - max 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-UFDFN Lieferantengerätepaket 4-ECSP1008 |