Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

E3M0280090D Datenblatt

E3M0280090D Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 691,85 KB
Cree/Wolfspeed
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: E3M0280090D
E3M0280090D Datenblatt Seite 1
E3M0280090D Datenblatt Seite 2
E3M0280090D Datenblatt Seite 3
E3M0280090D Datenblatt Seite 4
E3M0280090D Datenblatt Seite 5
E3M0280090D Datenblatt Seite 6
E3M0280090D Datenblatt Seite 7
E3M0280090D Datenblatt Seite 8
E3M0280090D Datenblatt Seite 9
E3M0280090D Datenblatt Seite 10
E3M0280090D

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Automotive, AEC-Q101, E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 7.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 15V

Vgs (Max)

+18V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 600V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3