E-L6571BD Datenblatt
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 16.6V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 170mA, 270mA Eingabetyp RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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