DS1220Y-100+ Datenblatt
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Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-EDIP |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-EDIP |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-EDIP |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-EDIP |
