Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt

DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 413,44 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMTH6016LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 1
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 2
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 3
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 4
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 5
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 6
DMTH6016LPSQ-13 Datenblatt Seite 7
DMTH6016LPSQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.8A (Ta), 37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.6W (Ta), 37.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN