DMTH10H005SCT Datenblatt
DMTH10H005SCT Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMTH10H005SCT
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8474pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 187W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
