DMT69M8LFV-13 Datenblatt
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
