Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt

DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 440,37 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMPH6050SK3Q-13
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 1
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 2
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 3
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 4
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 5
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 6
DMPH6050SK3Q-13 Datenblatt Seite 7
DMPH6050SK3Q-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Ta), 23.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1377pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63