DMP32D9UFZ-7B Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMP32D9UFZ-7B
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22.5pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 390mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket X2-DFN0606-3 Paket / Fall 3-XFDFN |
