DMN95H2D2HCTI Datenblatt
DMN95H2D2HCTI Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMN95H2D2HCTI
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1487pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220AB Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
