Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN65D8LDW-7 Datenblatt

DMN65D8LDW-7 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 529,96 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7 Datenblatt Seite 1
DMN65D8LDW-7 Datenblatt Seite 2
DMN65D8LDW-7 Datenblatt Seite 3
DMN65D8LDW-7 Datenblatt Seite 4
DMN65D8LDW-7 Datenblatt Seite 5
DMN65D8LDW-7 Datenblatt Seite 6
DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.87nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363