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DMN33D8LTQ-7 Datenblatt

DMN33D8LTQ-7 Datenblatt
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Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DMN33D8LTQ-7, DMN33D8LTQ-13
DMN33D8LTQ-7 Datenblatt Seite 1
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DMN33D8LTQ-7 Datenblatt Seite 5
DMN33D8LTQ-7 Datenblatt Seite 6
DMN33D8LTQ-7

Diodes Incorporated

DMN33D8LTQ-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-
DMN33D8LTQ-13

Diodes Incorporated

DMN33D8LTQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-