DMN3042L-13 Datenblatt
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 720mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 720mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
