Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN3007LSS-13 Datenblatt

DMN3007LSS-13 Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 217,17 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMN3007LSS-13
DMN3007LSS-13 Datenblatt Seite 1
DMN3007LSS-13 Datenblatt Seite 2
DMN3007LSS-13 Datenblatt Seite 3
DMN3007LSS-13 Datenblatt Seite 4
DMN3007LSS-13 Datenblatt Seite 5
DMN3007LSS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2714pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)