DMG4800LFG-7 Datenblatt
DMG4800LFG-7 Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMG4800LFG-7
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.44A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.47nC @ 5V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 940mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN3030-8 Paket / Fall 8-PowerUDFN |
