DMG3413L-7 Datenblatt
DMG3413L-7 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 178,64 KB
Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMG3413L-7
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
