DGD21814MS14-13 Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
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DGD21814MS14-13
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.9A, 2.3A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 20ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SO |