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DGD0507AFN-7 Datenblatt

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Diodes Incorporated
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DGD0507AFN-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 2A

Eingabetyp

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

50V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

16ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

W-DFN3030-10