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DG636EEQ-T1-GE4 Datenblatt

DG636EEQ-T1-GE4 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG636EEQ-T1-GE4, DG636EEN-T1-GE4
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DG636EEQ-T1-GE4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

96Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 16V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V ~ 8V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

56ns, 61ns

-3db Bandbreite

700MHz

Ladungsinjektion

-0.33pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3.7pF, 4.4pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-62dB @ 10MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-TSSOP

DG636EEN-T1-GE4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

96Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

300mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 16V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V ~ 8V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

46ns, 55ns

-3db Bandbreite

700MHz

Ladungsinjektion

-0.33pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3.7pF, 4.4pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-62dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-UFQFN

Lieferantengerätepaket

16-miniQFN (1.8x2.6)