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DG2788ADN-T1-E4 Datenblatt

DG2788ADN-T1-E4 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG2788ADN-T1-E4, DG2788ADN-T1-GE4
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DG2788ADN-T1-E4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

500mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50µs, 1µs

-3db Bandbreite

338MHz

Ladungsinjektion

-245pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-61dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-UFQFN

Lieferantengerätepaket

16-miniQFN (1.8x2.6)

DG2788ADN-T1-GE4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

500mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50µs, 1µs

-3db Bandbreite

338MHz

Ladungsinjektion

-245pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-61dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-UFQFN

Lieferantengerätepaket

16-miniQFN (1.8x2.6)