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DG2521DV-T1-E3 Datenblatt

DG2521DV-T1-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG2521DV-T1-E3, DG2520DV-T1-E3
DG2521DV-T1-E3 Datenblatt Seite 1
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DG2521DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

800mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

60mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

25ns, 35ns

-3db Bandbreite

40MHz

Ladungsinjektion

224pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

50pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2nA

Übersprechen

-57dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

DG2520DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

800mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

60mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

35ns, 15ns

-3db Bandbreite

40MHz

Ladungsinjektion

224pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

50pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2nA

Übersprechen

-57dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP