Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt

DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 164,23 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DG2032EDN-T1-GE4
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 1
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 2
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 3
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 4
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 5
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 6
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 7
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 8
DG2032EDN-T1-GE4 Datenblatt Seite 9
DG2032EDN-T1-GE4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

3.1Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

40ns, 33ns

-3db Bandbreite

221MHz

Ladungsinjektion

-19.4pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

-

Übersprechen

-62dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

12-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-QFN (3x3)