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DG2019DN-T1-E4 Datenblatt

DG2019DN-T1-E4 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG2019DN-T1-E4, DG2018DN-T1-E4
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DG2019DN-T1-E4 Datenblatt Seite 10
DG2019DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

8Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

600mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

48ns, 33ns

-3db Bandbreite

180MHz

Ladungsinjektion

-2.46pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

7.5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-72dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)

DG2018DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

DPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:2

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

8Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

600mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

48ns, 33ns

-3db Bandbreite

180MHz

Ladungsinjektion

-2.46pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

7.5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-72dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)