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DD1200S17H4B2BOSA2 Datenblatt

DD1200S17H4B2BOSA2 Datenblatt
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Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DD1200S17H4B2BOSA2
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DD1200S17H4B2BOSA2

Infineon Technologies

DD1200S17H4B2BOSA2

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1700V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 1200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1250A @ 900V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-IHMB130-1