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DBD10G-E Datenblatt

DBD10G-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DBD10G-E, DBD10G-TM-E
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DBD10G-E Datenblatt Seite 5
DBD10G-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 500mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

-

DBD10G-TM-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 500mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

-