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DB157G Datenblatt

DB157G Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: DB157G, DB156G, DB155G
DB157G Datenblatt Seite 1
DB157G Datenblatt Seite 2
DB157G Datenblatt Seite 3
DB157G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Lieferantengerätepaket

DB

DB156G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Lieferantengerätepaket

DB

DB155G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Lieferantengerätepaket

DB