DB104G Datenblatt
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Lieferantengerätepaket DB |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Lieferantengerätepaket DB |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 50V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Lieferantengerätepaket DB |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Lieferantengerätepaket DB |
