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D850N34TXPSA1 Datenblatt

D850N34TXPSA1 Datenblatt
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Größe: 230,91 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 6 Teilenummern: D850N34TXPSA1, D850N30TXPSA1, D850N28TXPSA1, D850N40TXPSA1, D850N36TXPSA1, D850N32TXPSA1
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 1
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 2
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 3
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 4
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 5
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 6
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 7
D850N34TXPSA1 Datenblatt Seite 8
D850N34TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3400V

Current - Average Rectified (Io)

850A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 3400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

D850N30TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3000V

Current - Average Rectified (Io)

850A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 3000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

D850N28TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2800V

Current - Average Rectified (Io)

850A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 2800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

D850N40TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4000V

Current - Average Rectified (Io)

850A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 4000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

D850N36TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3600V

Current - Average Rectified (Io)

850A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 3600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

D850N32TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3200V

Current - Average Rectified (Io)

850A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 3200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C