CY7C21701KV18-400BZXC Datenblatt
CY7C21701KV18-400BZXC Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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CY7C21701KV18-400BZXC
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR II+ Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
