CY7C1480V25-200BZC Datenblatt
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Cypress Semiconductor
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CY7C1480V25-200BZC
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Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3ns Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (15x17) |