CY7C1423BV18-250BZC Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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CY7C1423BV18-250BZC
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (15x17) |
