CY7C1365C-133BZI Datenblatt
CY7C1365C-133BZI Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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CY7C1365C-133BZI
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 8Mb (256K x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.63V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
