CY7C12631KV18-400BZI Datenblatt
CY7C12631KV18-400BZI Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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CY7C12631KV18-400BZI
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II+ Speichergröße 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
