CY62256VLL-70ZXIT Datenblatt
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |