CMRDM3575 TR Datenblatt
CMRDM3575 TR Datenblatt
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Central Semiconductor Corp
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CMRDM3575 TR
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.46nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 15V Leistung - max 125mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
