CMPDM202PH BK Datenblatt
CMPDM202PH BK Datenblatt
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Central Semiconductor Corp
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CMPDM202PH BK
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Vgs (Max) 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23F Paket / Fall SOT-23-3 Flat Leads |
